| Nguồn gốc: | Baoji, Trung Quốc |
|---|---|
| Hàng hiệu: | HT SENSOR |
| Chứng nhận: | CE,RoHs,ISO9001 |
| Số mô hình: | HT-IQT |
| Số lượng đặt hàng tối thiểu: | 1 |
| Giá bán: | Negotiable |
| chi tiết đóng gói: | gói tiêu chuẩn xuất khẩu |
| Thời gian giao hàng: | 5-8 ngày làm việc |
| Điều khoản thanh toán: | Công Đoàn Phương Tây, L/C, T/T |
| Khả năng cung cấp: | 5000 chiếc / THÁNG |
| Mô hình số.: | HT-IQT | Phạm vi: | 0-35kpa~3.5Mpa |
|---|---|---|---|
| loại dây: | Chân Kovar bốn dây hoặc mạ vàng | phương tiện đo lường: | Khí và chất lỏng |
| cung cấp: | 1,5mA | đường kính: | 50,4mm |
| Nhiệt độ: | -40~125 | Sản lượng: | tín hiệu mv |
| Thương hiệu: | HENGTONG | Mã HS: | 9026209090 |
| Loại tín hiệu đầu ra: | Loại tương tự | Quy trình sản xuất: | hội nhập |
| Vật liệu: | Thép không gỉ | Tùy chỉnh: | <i>Available |</i> <b>Có sẵn |</b> <i>Customized Request</i> <b>Yêu cầu tùy chỉnh</b> |
| Điểm nổi bật: | Bộ biến áp silicon HT-IQT,Phân lưng bộ biến áp silicon,Dễ dàng làm sạch cảm biến nhiệt độ áp suất cao 3 |
||
Bộ cảm biến áp suất silicon piezoresistive HT-IQT
giới thiệu cảm biến áp suất silicon:
HT-IQT là một cảm biến áp suất phân vùng phơi phơi với một con chip silicon khuếch tán nhiệt độ cao rất ổn định.Áp lực được chuyển đến chip nhạy cảm thông qua lớp vỏ thép không gỉ và dầu silicone niêm phong, và cầu kháng của chip thay đổi, dẫn đến một sự thay đổi về điện áp, và điện áp thay đổi đến mức milivolt.dễ dàng để làm sạch sẽ không tạo ra tinh thể trong cuối sợi, dễ làm sạch, cài đặt đơn giản, độ tin cậy cao.
| Các thông số hiệu suấtcủa cảm biến áp suất silicon: | |||||
| Phạm vi đo | Gauge ((G) | 35KPa, 100KPa, 200KPa, 350KPa, 1000KPa, 2000Kpa | |||
| Hoàn toàn ((A) | 100KPaA, 200KPaA, 350KPaA, 700KPaA, 1000KPaA, 2000KPaA | ||||
| Bị niêm phong | 3500KPaS | ||||
| Loại | Tối đa | Đơn vị | |||
| Không tuyến tính | ± 0.15 | ± 0.3 | % F.S | ||
| Khả năng lặp lại | 0.05 | 0.1 | % F.S | ||
| Hysteresis | 0.05 | 0.1 | % F.S | ||
| Zero Offset Output | 0±1 | 0±2 | mV | ||
| Sản lượng toàn diện | ≤20KPa | 50±10 | 50±30 | mV | |
| ≥35kPa | 100±10 | 100±30 | mV | ||
| Zero Offset Temp. Drift | ≤20KPa | ± 1 | ±2 | % F.S | |
| ≥35kPa | ± 0.5 | ± 1 | % F.S | ||
| Full Scale Temp. Drift | ≤20KPa | ± 1 | ±2 | % F.S | |
| ≥35kPa | ± 0.5 | ± 1 | % F.S | ||
| Temp được bù đắp. | ≤20KPa | 0 ~ 50 | oC | ||
| ≥35kPa | 0~70 | oC | |||
| Nhiệt độ hoạt động | -20~80 | oC | |||
| Nhiệt độ lưu trữ | -40~125 | oC | |||
| Lượng quá tải cho phép | Lấy giá trị nhỏ hơn giữa 3 lần toàn bộ quy mô hoặc 120MPa | ||||
| Áp lực bùng nổ | 5 lần quy mô đầy đủ | ||||
| Sự ổn định dài hạn | 0.2 % | F.S/năm | |||
| Vật liệu phân vùng | 316L | ||||
| Kháng cách nhiệt | ≥ 200MΩ 100VDC | ||||
| Vibration (sự rung động) | Không thay đổi trong điều kiện 10gRMS, 20Hz đến 2000Hz | ||||
| Sốc | 100g, 11ms | ||||
| Thời gian phản ứng | ≤ 1 ms | ||||
| Biểu tượng O-ring | cao su nitrile hoặc cao su Fluoro | ||||
| Trung bình lấp đầy | Dầu silicon | ||||
| Trọng lượng | ~220g | ||||
| Các thông số được thử nghiệm trong các điều kiện sau: 1,5mA @ 25°C | |||||
| Xác định xây dựng | |
| Cấu trúc |
|
| Kết nối điện và bồi thường |
 |
| Ví dụ chọn lọc |
| Mẹo đặt hàng |
| công ty |
| FQA |